賽晶首款車規(guī)級SiC模塊進(jìn)入測試階段！

近日，賽晶首款車規(guī)級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國內(nèi)外與會專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動汽車模塊平臺，采用HEEV封裝創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能最大限度的發(fā)揮SiC模塊的出色性能，滿足電動汽車市場不同需求。

碳化硅（silicon carbide，SiC）器件作為一種寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有耐高溫、高壓，導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)，被公認(rèn)為將推動新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。如何充分發(fā)揮碳化硅器件高壓高溫大容量的優(yōu)異性能，給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)。

針對高端電動汽車的系統(tǒng)需求，賽晶推出了為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，以滿足高功率、輕量化和高可靠性的需求，并兼顧高性能馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用需求。HEEV封裝SiC模塊采用1200V SiC MOSFET芯片，適合800V高壓平臺應(yīng)用。Rds(on)低至1.8mΩ@25℃，適用電驅(qū)功率高達(dá)250kW。在設(shè)計(jì)和應(yīng)用上更加簡便和高效。

不僅如此，該模塊設(shè)計(jì)體積非常緊湊，有助于實(shí)現(xiàn)電驅(qū)的輕量化，并采用無銅底板直接液冷設(shè)計(jì)，以保證更高的功率循環(huán)壽命和更低的熱阻。同時，還具有雜散電感非常小，適合SiC高速開關(guān)等特點(diǎn)。   

賽晶半導(dǎo)體始終堅(jiān)持自主研發(fā)的戰(zhàn)略方向，以業(yè)內(nèi)頂級技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)為核心，繼推出“i20系列IGBT芯片組”、“ED封裝IGBT模塊”、“ST封裝IGBT模塊”眾多產(chǎn)品之后，于2022年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款車規(guī)級SiC模塊。目前該模塊已完成樣品試制，并進(jìn)入測試階段和開展量產(chǎn)計(jì)劃。