1200V ST 封裝模塊采用賽晶自研IGBT 和二極管芯片，提升模塊的性能，并提高模塊額定電流高達(dá) 2X800A產(chǎn)品兼容市場(chǎng)主流產(chǎn)品外形，封裝技術(shù)采用自主專利技術(shù)，并采用獨(dú)特的封裝工藝和優(yōu)質(zhì)的封裝材料，以保證高性能、高可靠性和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。