1200V和1700V ED封裝模塊采用賽晶自研IGBT和二極管芯片組，降低損耗，并提高1200V模塊額定電流可達(dá)2X750A。采用市場主流封裝并采用先進(jìn)的封裝工藝和優(yōu)質(zhì)的封裝材料，以保證模塊高可靠性和長壽命等性能。