賽晶攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊 亮相TMC2024！

7月4日，由中國汽車工程學(xué)會主辦的第十六屆汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會（TMC2024）在青島舉辦。作為中國最具影響力的電動化動力系統(tǒng)技術(shù)交流平臺，吸引了眾多新能源行業(yè)引領(lǐng)者、高管及專家齊聚一堂，近2000位汽車動力系統(tǒng)技術(shù)相關(guān)人員參會。作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè)，賽晶攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊受邀參會。

汽車產(chǎn)品的綠色低碳發(fā)展水平將直接決定未來汽車產(chǎn)業(yè)的全球競爭力。動力系統(tǒng)是汽車綠色低碳轉(zhuǎn)型的核心，其電動化、新能源化、智能化及與其他系統(tǒng)的控制融合的創(chuàng)新空間將超乎想象。 

在這一發(fā)展趨勢下，賽晶半導(dǎo)體自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊引發(fā)眾多中外專家學(xué)者熱烈關(guān)注和深入交流，并受到了與會者和客戶的高度關(guān)注和熱烈反響。

賽晶HEEV封裝SiC模塊（1200V）

HEEV封裝SiC模塊為電動汽車應(yīng)用量身定做，適合800V高壓平臺應(yīng)用，導(dǎo)通阻抗低至2.0mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

賽晶EVD封裝SiC模塊（1200V）

EVD封裝SiC模塊采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝。通過內(nèi)部優(yōu)化設(shè)計，具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開關(guān)損耗相近或者更低（相同開關(guān)速度）。

不僅如此，賽晶半導(dǎo)體ED封裝IGBT模塊、EV封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊，同樣引發(fā)與會者高度關(guān)注。充分體現(xiàn)了賽晶在電驅(qū)動領(lǐng)域的強大技術(shù)實力，憑借多年出色的實用業(yè)績和領(lǐng)先的市場地位，贏得了中國電力電子技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)和國產(chǎn)化先鋒的贊譽。