賽晶攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊 亮相SPEED 2024

4月13日，第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)（SPEED 2024）在安徽宣城舉辦。SPEED 2024由合肥工業(yè)大學(xué)電氣與自動(dòng)化工程學(xué)院承辦，作為國(guó)內(nèi)高等院校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)科最重要的學(xué)術(shù)論壇之一，吸引了近千名業(yè)界著名專家學(xué)者、高校師生，以及業(yè)內(nèi)知名企業(yè)的積極參與。作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè)，賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（以下簡(jiǎn)稱：賽晶半導(dǎo)體）受邀參會(huì)。

展覽中，賽晶半導(dǎo)體自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊引發(fā)眾多專家學(xué)者、高校師生熱烈關(guān)注和深入交流，并受到了與會(huì)技術(shù)專家和客戶的高度關(guān)注和熱烈反響。

賽晶i20系列IGBT芯片組（1200V、1700V）1700V是IGBT的主流電壓等級(jí)之一，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無(wú)功補(bǔ)償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經(jīng)典的溝槽柵及場(chǎng)截止芯片結(jié)構(gòu)，并采用了窄臺(tái)面、優(yōu)化N-型增強(qiáng)層、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化P+層等多項(xiàng)行業(yè)前沿理念的優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國(guó)內(nèi)同類芯片技術(shù)的最高水平。

 賽晶ST封裝IGBT模塊（1200V、1700V）ST封裝IGBT模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形設(shè)計(jì)（62mm），具有極佳的通用性，是工業(yè)級(jí)IGBT模塊中的主流型號(hào)之一。特別是在光伏發(fā)電、低壓變頻器、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)控機(jī)床等領(lǐng)域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場(chǎng)需求。作為賽晶打造精品國(guó)產(chǎn)IGBT模塊戰(zhàn)略的最新成果。ST封裝IGBT模塊采用優(yōu)化布局、三維信號(hào)傳輸?shù)葎?chuàng)新設(shè)計(jì)（已申請(qǐng)專利）實(shí)現(xiàn)了出色的模塊性能：同類產(chǎn)品中最低的內(nèi)部熱阻、連接阻抗、內(nèi)部雜散電感等。

賽晶HEEV封裝SiC模塊（1200V）HEEV封裝SiC模塊為電動(dòng)汽車應(yīng)用量身定做，導(dǎo)通阻抗低至2.0mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

賽晶EVD封裝SiC模塊（1200V）EVD封裝SiC模塊采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝。通過(guò)內(nèi)部?jī)?yōu)化設(shè)計(jì)，具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對(duì)比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開關(guān)損耗相近或者更低（相同開關(guān)速度）。

不僅如此，賽晶半導(dǎo)體首款引以為傲IGBT產(chǎn)品-ED封裝IGBT模塊，以及EV封裝IGBT模塊，同樣引發(fā)了廣泛關(guān)注。充分體現(xiàn)了賽晶在電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力。作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè)，賽晶始終堅(jiān)持“以科技創(chuàng)新，推動(dòng)綠色能源發(fā)展”為使命，站在行業(yè)的前沿不斷探索、創(chuàng)新。憑借多年出色的實(shí)用業(yè)績(jī)和領(lǐng)先的市場(chǎng)地位，贏得了中國(guó)電力電子技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)和國(guó)產(chǎn)化先鋒的贊譽(yù)。