賽晶IGBT芯片及模塊新品發(fā)布

2023年1月18日，賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（以下簡(jiǎn)稱：賽晶）舉行線上新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，正式推出最新研發(fā)成果：i20系列1700V IGBT芯片組、ST封裝IGBT模塊。

再添“扛鼎之作”- i20系列1700V IGBT芯片組

1700V是IGBT的主流電壓等級(jí)之一，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無功補(bǔ)償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。

賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經(jīng)典的溝槽柵及場(chǎng)截止芯片結(jié)構(gòu)，并采用了窄臺(tái)面、優(yōu)化N-型增強(qiáng)層、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化P+層等多項(xiàng)行業(yè)前沿理念的優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內(nèi)同類芯片技術(shù)的最高水平。

創(chuàng)新設(shè)計(jì)、國產(chǎn)精品– ST封裝IGBT模塊

已經(jīng)發(fā)布的首款I(lǐng)GBT模塊（ED封裝IGBT模塊），目前已經(jīng)向電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、工控等領(lǐng)域的多家行業(yè)領(lǐng)先客戶批量供貨，并以卓越的性能和表現(xiàn)廣受好評(píng)。本次發(fā)布會(huì)上，賽晶發(fā)布了第二款工業(yè)級(jí)模塊產(chǎn)品- ST封裝IGBT模塊。該模塊，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形設(shè)計(jì)（62mm），具有極佳的通用性，是工業(yè)級(jí)IGBT模塊中的主流型號(hào)之一。特別是在光伏發(fā)電、低壓變頻器、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)控機(jī)床等領(lǐng)域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場(chǎng)需求。

ST封裝IGBT模塊，采用優(yōu)化布局、三維信號(hào)傳輸?shù)葎?chuàng)新設(shè)計(jì)（已申請(qǐng)專利）實(shí)現(xiàn)了出色的模塊性能：同類產(chǎn)品中最低的內(nèi)部熱阻、連接阻抗、內(nèi)部雜散電感等。ST封裝IGBT模塊，是賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊戰(zhàn)略的最新成果。

已然啟程，未來可期- 車規(guī)級(jí)SiC模塊

本次發(fā)布會(huì)還介紹了正研發(fā)中的兩款車規(guī)級(jí)SiC模塊：HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能最大限度的發(fā)揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個(gè)版本，可以滿足汽車市場(chǎng)不同需求。

賽晶半導(dǎo)體，以業(yè)內(nèi)頂級(jí)技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)為核心，致力于打造國產(chǎn)精品IGBT、SiC產(chǎn)品，服務(wù)于電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)控制等國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。

成立至今，賽晶半導(dǎo)體業(yè)務(wù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步和令人欣喜的成績(jī)：我們的生產(chǎn)基地拔地而起、全自動(dòng)智能化生產(chǎn)線穩(wěn)定運(yùn)行；我們的i20系列1200V IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊批量生產(chǎn)、廣受好評(píng)；我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)大咖云集、研發(fā)成果喜報(bào)頻傳。

展望未來，我們將繼續(xù)以打造國產(chǎn)IGBT、SiC精品為己任，為新能源產(chǎn)業(yè)和廣大客戶提供更多、更好的產(chǎn)品與服務(wù)。