賽晶攜最新自主研發(fā)IGBT模塊亮相2022年汽車電子創(chuàng)新技術(shù)研討會

8月10日，有全球知名電子科技媒體<電子發(fā)燒友>主辦的2022年汽車電子創(chuàng)新技術(shù)研討會在中國深圳成功舉辦。共有近200名來自各汽車電子相關(guān)企業(yè)的技術(shù)專家們蒞臨現(xiàn)場，帶來了最新的技術(shù)分享。

研討會上，賽晶半導(dǎo)體技術(shù)支持總監(jiān)馬先奎先生，發(fā)表主題報告“電動車用功率模塊的發(fā)展趨勢-從工業(yè)級到汽車級”。介紹了乘用車對功率模塊的技術(shù)需求，以及賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優(yōu)勢及特點(diǎn)，并展示了面向新能源汽車領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊，以及面向新能源發(fā)電和工業(yè)電控領(lǐng)域的ST封裝模塊。這是繼ED封裝IGBT模塊之后的又一力作，也是賽晶面對蓬勃發(fā)展的電動車市場做出的積極回應(yīng)和對服務(wù)好客戶的意愿展示。

i20 IGBT芯片，采用FS-TRENCH結(jié)構(gòu)、多項(xiàng)國際前沿優(yōu)化設(shè)計，具有低阻抗短溝道、先進(jìn)的3D結(jié)構(gòu)、N-增強(qiáng)層，使用TAIKO技術(shù)超薄基底、優(yōu)化的P+設(shè)計，以及窄臺面精細(xì)圖案、激光退火處理的場截止層和陽極等優(yōu)勢，多項(xiàng)國際前沿優(yōu)化設(shè)計帶來超低導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。

HEEV封裝SiC模塊是專為實(shí)現(xiàn)高效率電動汽車應(yīng)用而開發(fā)，采用低損耗的SiC MOSFET芯片，以及壓注模封裝技術(shù)，因而能夠提升對濕度等惡劣環(huán)境的抵抗力。此外，還采用燒結(jié)、超聲波焊接等多種先進(jìn)的封裝工藝，無基底直接冷卻(已申請專利)、鉗橋式結(jié)構(gòu)等獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計；模塊更小的體積（體積降低50%）、更低的損耗（連接電阻降低50%）、更高的可靠性（雜散電感降低40%），擁有高可靠性、良好的可控性、相同的額定功率。

研討會同期展覽，賽晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封裝模塊、ST封裝模塊以及EV封裝模塊樣品，引發(fā)與會技術(shù)專家們廣泛關(guān)注，現(xiàn)場火爆程度超乎預(yù)期。許多與會專業(yè)人士紛紛到賽晶展位參觀和咨詢，與現(xiàn)場技術(shù)、銷售人員進(jìn)行了深入的交流，并對賽晶將推出的新品抱有極大期許。

賽晶展示了自主研發(fā)的面向新能源汽車領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊，以及帶來了賽晶IGBT最新前沿技術(shù)。憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品理念、國際一流的研發(fā)實(shí)力、豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，以及國際頂級的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)，賽晶科技及其子公司賽晶半導(dǎo)體在打造自主技術(shù)高端 IGBT產(chǎn)品的路上穩(wěn)步向前，始終致力于為電動汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)電控等市場開發(fā)出具有國際一流品質(zhì)的IGBT芯片和模塊產(chǎn)品。