賽晶攜最新自主研發(fā)IGBT模塊亮相PSiC2022

7月14日，PSiC2022第五屆中國(guó)國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)與關(guān)鍵技術(shù)論壇在蕪湖舉辦。本次論壇由PSiC2022組委會(huì)、亞洲電動(dòng)汽車協(xié)會(huì)、蕪湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)、蕪湖新能源汽車產(chǎn)業(yè)基地、蕪湖新能源汽車產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)、IEEE工業(yè)電子協(xié)會(huì)（IES）中國(guó)區(qū)、中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)聯(lián)合主辦。此次論壇以“融合創(chuàng)芯·助力雙碳”為主題，聚焦基礎(chǔ)芯片、封裝材料、設(shè)備、器件、電驅(qū)動(dòng)、整車產(chǎn)業(yè)鏈資源。共有近400名整車、電驅(qū)動(dòng)、功率半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)鏈上下游專業(yè)人士參加論壇。

論壇上，賽晶科技瑞士子公司SwissSEM首席運(yùn)營(yíng)官Sven先生，通過(guò)視頻的方式發(fā)表主題報(bào)告“工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)IGBT的創(chuàng)新與突破”。介紹了賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優(yōu)勢(shì)及特點(diǎn)，并首次發(fā)布了面向新能源汽車領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊，以及面向新能源發(fā)電和工業(yè)電控領(lǐng)域的ST封裝模塊。這是繼ED封裝IGBT模塊之后的又一力作，也是賽晶在工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)IGBT領(lǐng)域的又一次創(chuàng)新與突破。

i20 IGBT芯片，采用FS-TRENCH結(jié)構(gòu)、多項(xiàng)國(guó)際前沿優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有低阻抗短溝道、先進(jìn)的3D結(jié)構(gòu)、N-增強(qiáng)層，使用TAIKO技術(shù)超薄基底、優(yōu)化的P+設(shè)計(jì)，以及窄臺(tái)面精細(xì)圖案、激光退火處理的場(chǎng)截止層和陽(yáng)極等優(yōu)勢(shì)，多項(xiàng)國(guó)際前沿優(yōu)化設(shè)計(jì)帶來(lái)超低通導(dǎo)損耗和判斷損耗。

ED封裝IGBT模塊，采用賽晶自研i20芯片組，不僅性能卓越，還具有出色的魯棒性。短路耐受時(shí)間達(dá)15微秒，在2倍甚至3倍額定電流下，該模塊仍可安全關(guān)斷。從而實(shí)現(xiàn)低損耗、大電流（可達(dá)2×750A），比最常用的i4系列同類模塊性能超出10%以上，實(shí)現(xiàn)超越i4，比肩i7的卓越性能。

HEEV封裝SiC模塊，專為電動(dòng)汽車開(kāi)發(fā)的高效(High Efficient)碳化硅SiC模塊。采用賽晶自研i20芯片組，滿足高功率、輕量化和高可靠性的需求，采用轉(zhuǎn)移模塑、燒結(jié)、超聲波焊接等多種先進(jìn)的封裝工藝，無(wú)基底直接冷卻(已申請(qǐng)專利)、鉗橋式結(jié)構(gòu)等獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計(jì)；模塊更小的體積（體積降低50%）、更低的損耗（連接電阻降低50%）、更高的可靠性（雜散電感降低40%），擁有高可靠性、良好的可控性、相同的額定功率。

ST封裝IGBT模塊，新能源發(fā)電、工業(yè)電控廣泛使用的標(biāo)準(zhǔn)模塊外型(即62mm模塊) 。采用賽晶自研i20芯片組，模塊有源面積利用率顯著提升，實(shí)現(xiàn)同類競(jìng)品中最低的熱阻、內(nèi)部阻抗、雜散電感；不僅如此，還采用先進(jìn)工藝和優(yōu)質(zhì)材料，以保證高性能、高可靠性和長(zhǎng)壽命，以及自主創(chuàng)新的內(nèi)部封裝技術(shù)及兼容市場(chǎng)主流標(biāo)準(zhǔn)的外形，創(chuàng)新的內(nèi)部?jī)?yōu)化布局及三維信號(hào)傳輸設(shè)計(jì)，全面超越同類產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。

論壇同期展覽，賽晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封裝模塊、ST封裝模塊以及EV封裝模塊樣品，引發(fā)與會(huì)專業(yè)人士廣泛關(guān)注，現(xiàn)場(chǎng)火爆程度超乎預(yù)期。許多與會(huì)專業(yè)人士紛紛到賽晶展位參觀和咨詢，與現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)、銷售人員進(jìn)行了深入的交流，并對(duì)賽晶將推出的新品抱有極大期許。

賽晶首次公開(kāi)了自主研發(fā)的面向新能源汽車領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊，以及面向新能源發(fā)電和工業(yè)電控領(lǐng)域的ST封裝IGBT模塊，同時(shí)帶來(lái)了賽晶IGBT最新前沿技術(shù)。憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品理念、國(guó)際一流的研發(fā)實(shí)力、豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，以及國(guó)際頂級(jí)的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)，賽晶科技及其子公司賽晶半導(dǎo)體在打造自主技術(shù)高端 IGBT產(chǎn)品的路上穩(wěn)步向前，攻克了一個(gè)又一個(gè)的難題，打破IGBT 壁壘，始終致力于為電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)電控等市場(chǎng)開(kāi)發(fā)出具有國(guó)際一流品質(zhì)的IGBT芯片和模塊產(chǎn)品。