賽晶科技：打造中國IGBT名片！

以下文章來源于《變頻器世界》

2021是十四五的開局之年，我國確立了碳達峰、碳中和目標，將加大新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并推動電氣化的進程，進而為功率半導體等電力電子行業(yè)帶來了巨大的發(fā)展空間。作為業(yè)內(nèi)技術(shù)領先電力電子供應商，賽晶科技本月亮相了PCIM?Asia2021深圳電力電子展。

在本次展會上，賽晶科技帶來了自主技術(shù)IGBT芯片及模塊，以及層疊母排、數(shù)字式IGBT驅(qū)動、固態(tài)開關、阻抗測量等產(chǎn)品。其中，作為賽晶科技本次展出的重點，i20+D20芯片組，以及ED-Type、EV-Type等IGBT系列產(chǎn)品吸引了行業(yè)的關注。

據(jù)賽晶科技介紹，命名為i20的IGBT芯片，采用精細溝槽、窄臺面、優(yōu)化N型增強層、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化P+、優(yōu)化的激光退火緩沖區(qū)和陽極，以及超薄的N-基底等一系列行業(yè)前沿設計，帶來了高達250A的卓越性能。

　　i20晶圓

此外，賽晶科技首款IGBT模塊產(chǎn)品，ED-Type模塊，采用了可以提高均流性能近2倍的直線布局，極大的改善了可靠性和穩(wěn)定性。同時結(jié)合優(yōu)異的制造工藝和嚴選的原材料，帶來了超低的損耗性能和國際一流水平的性能和可靠性。

　　EV-Type、ED-Type模塊

還有EV-Type模塊，賽晶科技于今年6月正式推出，主要面向電動汽車及新能源等領域。該模塊采用了行業(yè)前沿的單面冷卻設計，實現(xiàn)了極高的電流密度、較低過沖電壓、極低的導通壓降。EV-Type模塊還有利于最大程度發(fā)揮碳化硅芯片的性能優(yōu)勢。

在IGBT的研發(fā)上，賽晶科技擁有獨特的優(yōu)勢。賽晶科技組建了來自國際領軍企業(yè)的技術(shù)專家團隊，擁有IGBT領域前沿的設計理念、一流的技術(shù)水平、深厚的工藝經(jīng)驗。因此，賽晶科技的i20芯片、ED-Type和EV-Type模塊等IGBT產(chǎn)品，其各項性能達到和超過國內(nèi)外同業(yè)水平。

賽晶科技的IGBT產(chǎn)品覆蓋600V到1700V電壓等級，主要面向電動汽車、新能源電力和工業(yè)電控這三大市場。今年6月份，賽晶科技的首條IGBT生產(chǎn)線正式竣工，并進入了試產(chǎn)階段。這是賽晶在IGBT賽道上的一個重要里程碑，意味著賽晶正離國際領先功率半導體企業(yè)又近一步。國內(nèi)的廣大用戶對于國產(chǎn)器件和賽晶IGBT產(chǎn)品表現(xiàn)出極高的期待。

　　分離式Hipak/StakPakIGBT門級驅(qū)動單元（電壓源）

從發(fā)展戰(zhàn)略來看，賽晶科技與中國雙碳目標是不謀而合的，賽晶的三大業(yè)務方向：一是輸配電，即為高壓、特高壓直流輸電等提供核心器件；二是提供電氣化交通的功率半導及配套器件和前沿性電力電子技術(shù)解決方案，包括鐵路、汽車、船舶、飛機的電氣化等；三是為工業(yè)領域的電力自動化和控制、變頻節(jié)能等需求提供功率半導及配套器件和前沿性電力電子技術(shù)解決方案。賽晶科技所做的一切，都有利于促進能源的高效、靈活、綠色發(fā)展，有利于降低碳排和“雙碳目標”的實現(xiàn)。

中國作為全球最大的IGBT市場，在“雙碳”目標下，未來擁有更大的前景。雖然目前國際廠商仍在中國IGBT市場中占據(jù)支配地位，但在中美國貿(mào)易多變的形勢下，國產(chǎn)器件進入了一個良好的發(fā)展進階段，賽晶擁有國際一流的技術(shù)團隊和實力，致力于打造國產(chǎn)精品，成為中國IGBT的亮麗名片。