賽晶品牌IGBT等多項(xiàng)產(chǎn)品亮相PCIM Asia 2021

9月9日，電力電子元器件領(lǐng)域國(guó)內(nèi)影響力最大的行業(yè)展會(huì)PCIM Asia 2021在深圳隆重召開。賽晶科技攜自主技術(shù)IGBT芯片及模塊、層疊母排、數(shù)字式IGBT驅(qū)動(dòng)、固態(tài)開關(guān)、阻抗測(cè)量等產(chǎn)品參展，受到廣大與會(huì)者的高度關(guān)注和熱烈反響。

賽晶參展的i20+D20 芯片組，以及ED-Type、EV-Type模塊等IGBT系列產(chǎn)品，采用了國(guó)際領(lǐng)先的設(shè)計(jì)理念和制造工藝，各項(xiàng)性能達(dá)到和超過國(guó)內(nèi)外同業(yè)水平。

i20 芯片組（1200V/250A）

采用正面精細(xì)溝槽+背面場(chǎng)截止設(shè)計(jì)，采用N型增強(qiáng)、窄臺(tái)面、短溝道、超薄基底、優(yōu)化P+、3D結(jié)構(gòu)等多項(xiàng)行業(yè)前沿的設(shè)計(jì)和工藝，帶來了高達(dá)250A的卓越性能。

ED-Type模塊（1200V/750A）

采用優(yōu)化的直線布局，大幅提升了內(nèi)部均流表現(xiàn)。結(jié)合優(yōu)異的制造工藝和嚴(yán)選的原材料，帶來了超低的損耗性能和國(guó)際一流水平的性能和可靠性。

EV-Type模塊及組件

采用單面冷卻設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了極高的電流密度、較低過沖電壓、極低的導(dǎo)通壓降。優(yōu)異的SiN基板，提供了非常低的熱阻和出色的功率循環(huán)能力內(nèi)部熱敏電阻完成封裝。此外，針對(duì)均衡分流的優(yōu)化，帶來了低損耗和高可靠性。

不僅如此，賽晶還帶來“數(shù)字式IGBT驅(qū)動(dòng)器”、“層疊母排”等功率半導(dǎo)體配套器件，以及“阻抗測(cè)量”、“固態(tài)開關(guān)”等國(guó)際前沿性電力電子技術(shù)產(chǎn)品。

在全球巨頭林立的PCIM Asia 2021，賽晶自主技術(shù)IGBT芯片和模塊等眾多產(chǎn)品，憑借國(guó)際一流的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn)，贏得業(yè)內(nèi)專家和客戶的一致認(rèn)可和高度贊譽(yù)。