賽晶科技正式發(fā)布下一代車載單面冷卻IGBT模塊

 6月25日，在PSiC2021第四屆中國國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇上，賽晶科技集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：賽晶科技）正式發(fā)布了下一代車載單面冷卻IGBT模塊——EV-Type模塊。這是專門針對(duì)電動(dòng)汽車的應(yīng)用需求，而設(shè)計(jì)的新型模塊產(chǎn)品。

賽晶科技董事長(zhǎng)項(xiàng)頡表示，新能源汽車是全球各國家競(jìng)相研發(fā)的新興產(chǎn)業(yè)，是推動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展方向轉(zhuǎn)變，促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的戰(zhàn)略需要。賽晶最新研發(fā)針對(duì)電動(dòng)汽車領(lǐng)域的單面冷卻IGBT模塊，應(yīng)用了目前國際上最新的芯片和模塊設(shè)計(jì)理念，具有極高的緊湊性設(shè)計(jì)，同時(shí)也完全適用于碳化硅芯片。期待能與廣大車企攜手合作，在未來電動(dòng)車碳化硅模塊領(lǐng)域，形成中國標(biāo)準(zhǔn)。

賽晶科技瑞士子公司SwissSEM首席運(yùn)營(yíng)官Sven先生，通過視頻的方式發(fā)表主題報(bào)告 “電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域最先進(jìn)的IGBT”，首次發(fā)布了下一代車載單面冷卻IGBT模塊——EV-Type模塊。

EV-Type模塊相當(dāng)于三分之一的ED-Type模塊，如此小的尺寸內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的高電流密度，并包含兩個(gè)1.2kV/250A芯片組。不僅如此，電感遠(yuǎn)低于10nH，帶來了較低過沖電壓；低于0.9mOhm的極低接觸電阻，帶來了極低的導(dǎo)通壓降。優(yōu)異的SiN基板，提供了非常低的熱阻和出色的功率循環(huán)能力內(nèi)部熱敏電阻完成封裝。此外，EV-Type模塊針對(duì)均衡分流進(jìn)行了優(yōu)化，具有低損耗和高可靠性的特征。同時(shí)也完全適用于碳化硅芯片。

賽晶科技首次公開了自主研發(fā)的下一代車載單面冷卻IGBT模塊及最新前沿技術(shù)，憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品理念、國際一流的研發(fā)實(shí)力、豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，以及國際頂尖的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)，賽晶科技及其子公司賽晶亞太半導(dǎo)體將致力于為電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)變流等市場(chǎng)開發(fā)出具有國際一流品質(zhì)的IGBT芯片和模塊產(chǎn)品。