IGBT,被譽為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域“皇冠上的明珠”,是行業(yè)內(nèi)尖端技術(shù)的代表。擁有出色的IGBT技術(shù)和產(chǎn)品,已經(jīng)成為一個國家功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實力和技術(shù)水平的象征,也是左右眾多新興技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。
開展IGBT技術(shù)自主研發(fā),打造中國高端IGBT產(chǎn)品,賽晶并不是一時地心血來潮,而是源于一個埋藏了18年的夢想。
起源
ABB集團,自1988年ABB集團成立之后,IGBT一直是其研究和發(fā)展的重點。擁有獨創(chuàng)的SPT+、SPT++芯片技術(shù),以及LoPak、HiPak、StakPak 等多個系列1700V至6500V豐富的模塊產(chǎn)品,是當(dāng)今世界少數(shù)幾家掌握高端IGBT 芯片和模塊技術(shù)的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)之一。
項頡,賽晶集團的創(chuàng)始人,現(xiàn)任董事會主席,1999年至2001年期間,便在瑞士蘭茲伯格的ABB半導(dǎo)體公司工作。期間,項頡不但深入生產(chǎn)第一線熟悉了IGBT的每一個制造環(huán)節(jié),還參與了設(shè)計研發(fā)、項目管理、市場分析等多個崗位的工作,從而對IGBT的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)有了深入的理解。
正是得益于在ABB半導(dǎo)體公司的工作經(jīng)歷,項頡近距離接觸了世界頂級公司在IGBT領(lǐng)域的核心技術(shù)。項頡在被國外技術(shù)的先進性所震撼的同時,也深深地認(rèn)識到了中國在該領(lǐng)域的落后和差距。一顆夢想的種子,悄無聲息的在項頡心中種下 - 一定要想辦法打造屬于中國自己的IGBT技術(shù)和產(chǎn)品。
懷揣這樣的心愿,2002年初,項頡回國創(chuàng)立了賽晶集團。然而,技術(shù)研發(fā)、企業(yè)發(fā)展僅憑著熱血和情懷是不夠的,IGBT的技術(shù)門檻有多高、產(chǎn)業(yè)發(fā)展有多難,項頡是深有體會的。因此,項頡帶領(lǐng)著賽晶集團為實現(xiàn)IGBT的夢想,開始默默地積蓄力量。從創(chuàng)業(yè)之初的一窮二白到今天的年銷售額超12億元,從代理銷售業(yè)務(wù)起步到今天的國際一流自主研發(fā)實力,18年后,那一顆夢想的種子終于到了破土而出的時刻。
誓師
今天的中國,正處于在戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵期和決戰(zhàn)期,電動汽車、新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、海洋工程、前沿物理研究等一大批決定中國未來的關(guān)鍵技術(shù)、戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的突破和發(fā)展,都離不開IGBT - 這項關(guān)鍵功率半導(dǎo)體器件的支撐和助力。然而至今,中國自主IGBT技術(shù)仍然遠落后于國外,亟待取得突破,為國家的發(fā)展保駕護航。
時勢造英雄,當(dāng)仁不讓。
今天的賽晶,已經(jīng)成為了功率半導(dǎo)體及其配套器件國產(chǎn)化自主研發(fā)的先鋒。國內(nèi)首臺自主技術(shù)陽極飽和電抗器、大功率電力電子電容器,國際領(lǐng)先的數(shù)字式IGBT驅(qū)動、層疊母排、固態(tài)交直流斷路器、脈沖電源、阻抗測量等一大批高新技術(shù)產(chǎn)品,是賽晶堅持“研發(fā)驅(qū)動發(fā)展”戰(zhàn)略而收獲的豐碩成果。
今天的賽晶,已擁有國際一流的技術(shù)研發(fā)實力。賽晶已經(jīng)建立了國內(nèi)三大研發(fā)中心、海外三大研發(fā)團隊的研發(fā)體系。其中,海外IGBT研發(fā)團隊的成員,均來自歐洲一流企業(yè),不僅掌握國際最先進的技術(shù)理念,也擁有國內(nèi)稀缺的大規(guī)模制造工藝和經(jīng)驗??梢哉f,IGBT研發(fā),賽晶是“站在巨人的肩膀上”起步。
不忘初心,方得始終。
今天,終于到了項頡和賽晶去實現(xiàn)夢想的時刻。我們有信心、有決心研發(fā)出屬于中國自己的高端IGBT技術(shù)和產(chǎn)品,讓那一顆夢想的種子,開出最燦爛的花朵,結(jié)出最豐碩的果實。